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搜索结果: 1-15 共查到知识库 CVD相关记录62条 . 查询时间(0.069 秒)
为了探索改进化学气相沉积法(CVD)制备薄层MoS2的最佳制备温度,计算了不同温度下该反应体系吉布斯自由能的变化。在热力学计算的指导下,采用多温区管式炉制备MoS2纳米片,对反应温度和沉积温度进行了精准的掌控,并研究了几个重要参考温度对MoS2的影响。结果表明,改进型CVD法制备的薄层MoS2纳米片结晶质量高、厚度均匀;温度对MoS2的形貌、尺寸和结晶质量的影响显著,MoS2的尺寸随温度的升高而增...
通过热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备了具有球状晶结构、棱锥形晶结构和棱柱形晶结构等3种不同表面特征的化学气相沉积(CVD)金刚石涂层工具,以提高其研磨效率。通过正交实验法研究了金刚石涂层晶粒形态、载荷、工作台转速、研磨时间等4个工艺参数对蓝宝石材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明:金刚石涂层的晶粒形态对材料去除率和表面粗糙度影响较大;球状晶结构金刚石涂层切向力较小,棱柱形晶结构金刚石涂层切向...
用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料,探讨了Au催化剂对纳米结构和形貌的影响,并研究了其光致发光特性。X射线衍射(XRD)分析显示产物为单斜结构的β-Ga2O3。扫描电子显微镜(SEM)测试表明:Au催化剂颗粒尺寸较小时,制备的产物为尺度均匀的β-Ga2O3纳米线,宽度小于100 nm,长度为几微米至几十微米;增加催化剂颗粒尺寸时,制备出的β-Ga2O3纳米结构的尺度变大,形貌由纳米线逐步...
采用激光拉曼光谱仪和扫描电子显微镜对以C2H2+H2 和C2H2+C3H8+Ar为反应气体,通过直流加热化学气相沉积工艺在SiC纤维表面制备的碳涂层的微观结构断口形貌进行了研究。结果表明,两种碳涂层的拉曼光谱中1350,1400~1500和1600cm-1附近均观察到D,D”和G特征峰的存在。碳涂层具有类似石墨的片层结构,结构中微晶的排列显示出一定的无序性,并含有少量非晶态碳。随着沉积温度的升高,...
采用化学气相沉积技术(CVD),在乙炔气氛、500℃条件下制备了碳/高活性铝复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对复合材料的物相、形貌、组成进行了表征。结果表明,碳/高活性铝复合材料具有特殊的核壳结构及良好的耐水能力。
采用激光拉曼光谱对单根CVD-SiC纤维进行了研究,并与SiCf/Ti-6Al-4V复合材料中SiC纤维的拉曼光谱进行对比分析。发现SiC纤维的第一沉积层的TO峰峰形尖锐,表明SiC晶粒较大,第二沉积层的晶粒较小,在二个沉积层中分别检测到碳和硅的拉曼峰。在复合材料中,SiC纤维的TO峰向高波数偏移,表明复合材料在制备过程中,因SiC与基体钛合金的热膨胀系数不同而使纤维受到热残余压应力的作用。通过计...
Thick, high quality 4H-SiC epilayers have been grown in a vertical hot-wall chemical vapor deposition system at a high growth rate on (0001) 80 off-axis substrates. We discuss the use of dichlorosil...
采用激光拉曼光谱对单根CVD-SiC纤维进行了研究,并与SiCf/Ti-6Al-4V复合材料中SiC纤维的拉曼光谱进行对比分析。发现SiC纤维的第一沉积层的TO峰峰形尖锐,表明SiC晶粒较大,第二沉积层的晶粒较小,在二个沉积层中分别检测到碳和硅的拉曼峰。在复合材料中,SiC纤维的TO峰向高波数偏移,表明复合材料在制备过程中,因SiC与基体钛合金的热膨胀系数不同而使纤维受到热残余压应力的作用。通过计...
Purpose: The goal of this work is to compare the macro-stresses as well as mechanical and functional properties of the PVD and CVD coatings deposited on oxide and nitride ceramics tool. Design/method...
Purpose: The aim of the research was the investigation of the corrosion resistance and structure of the TiN, TiN+multiTiAlSiN+TiN, TiN+TiAlSiN+TiN, TiN+TiAlSiN+AlSiTiN coatings deposited by PVD proce...
利用碳辅助CVD方法, 在1100~1140 ℃、常压、N2/H2气氛下, 以Fe-Al-O复合体系为催化剂, 在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线. 该纳米线直径为20~200 nm, 长数百微米. 利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了表征与分析; FTIR光谱显示了非晶氧化硅的3个特征峰(482, 806和1095 cm-1)和1132 cm-1无序氧化硅结构的强...
采用溶胶-凝胶法制备了助剂Cr改性的Ni/MgO催化剂, 用化学气相沉积(CVD)法在600 ℃下裂解甲烷生长碳纳米管, 研究了助剂Cr的引入对催化剂微结构和制备碳纳米管性能的影响. 催化剂样品用XRD, TPR和CO-TPD进行了分析, 制备的碳纳米管用TEM和XRD进行了表征. 实验结果表明, NiO和MgO之间存在着强相互作用而形成固溶体, Ni/MgO催化剂经氢气处理后其中的镍氧化物只有极...
The aim of this study was to determine the cutting ability of chemical vapor deposition (CVD) diamond burs coupled to an ultrasonic dental unit handpiece for minimally invasive cavity preparation. One...
CVD外延自掺杂效应的分析研究       反向补偿  CVD       2009/8/31
本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理,吸附-解吸、滞流层静态-动态转换等,对工艺进行优化,在通常条件下有效地控制了自掺杂。
本文分析了硅CVD外延生长中金属杂质沾污、吸附-解吸机理模型和微缺分布规律,提出了用反向补偿原理优化外延工艺,有效地解决了硅外延层的金属杂质和微缺陷。

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