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2007年3月8日，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室牛智川研究员领导的分子束外延（MBE）课题组徐应强、郝瑞亭、周志强、任正伟等人采用分子束外延技术，成功地在GaAs衬底上生长出高质量GaSb厚膜材料和2－3微米波段InAs/GaSb超晶格材料。这是国内首次用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出短周期InAs/GaSb超晶格。