搜索结果: 1-4 共查到“光电子学与激光技术 GaN”相关记录4条 . 查询时间(0.125 秒)
氮化镓（GaN）材料被称为第三代半导体材料，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。其中GaN基紫外半导体激光器具备波长短、光子能量大的特点，在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化和短距离光通信等领域具有重要应用，一直是国际相关领域的研究热点和技术难点。但由于该激光器是基于大失配异质外延材料技术制备而成，导致其缺陷多、发光效率低，器件研制难度大。
GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管
GaN 垒层厚度 InGaN/GaN量子阱 双蓝光波长
2013/9/16
针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12:Ce3+黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题, 提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12:Ce3+黄光荧光粉实现高显色性白光发射法, 并分析了其可行性. 利用金属有机化学气相沉积系统在(0001)蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的双蓝光波长发光二极管, 并对不同GaN...
Characteristics of ZnO Layers Grown on GaN Template Under Argon Pressure by Pulsed Laser Deposition
ZnO Pulsed Laser Deposition Buffer layer Annealing
2009/6/1
We employed epi-GaN substrates for ZnO film growth, and studied the deposition and post-annealing effects. ZnO films were grown by pulsed laser deposition (PLD) method. The as-grown films were anneale...
MOCVD制备InxGa1－xN/GaN MQWs的温度依赖性
2007/8/20
利用方势阱模型对InxGa1－xN/GaN MQWs结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在MO源流量恒定条件下，在570℃～640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验，对InxGa1－xN制备过程中的In组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的PL谱测量分析，得到了587℃～600℃的In组份最佳掺入温度区间.