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搜索结果: 1-6 共查到电子科学与技术 跃迁相关记录6条 . 查询时间(0.109 秒)
几类半导体和超晶格量子阱结构跃迁过程的光谱研究。
在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为 的离子受主束缚激子(A?, X)的发光波长。结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸(高度和半径)、离子受主杂质的位置和垒中Al含量。随着量子点高度、半径及垒中Al含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大。随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界时,发光波长先增大,在量子...
根据扩展的相对论多组态Dirac-Fock理论,采用“全相对论原子结构程序(GRASP2)”,考虑重要核的有限体积效应、量子电动力学效应(QED)和Breit修正以及组态间的相互作用,计算类镓Au48+的能级寿命、能级宽度、跃迁波长、跃迁几率和振子强度。结果表明:计算所得的波长与最新的实验数据及其他参考数据较吻合;能级寿命与能级宽度的关系符合海森保的能量与时间测不准原理;在类镓Au48+的跃迁中,...
鉴于“方形”势阱过于简单和理想,引入了反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱中的电子运动行为。在量子力学框架内,把电子的Schrodinger方程化为了超几何方程, 并以Ga1-xAlxAs-GaAs- Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁和带间跃迁。结果表明,能级数目和跃迁能量与阱深、阱宽等系统参数有关,只需适当调节这些参数就可望实现对超晶格量子阱光电特征的调节与控制。
激光等离子体M带0.346~0.372nm范围内精细结构谱,是金等离子体的类Co、类Ni、类Cu、类Zn离子的3d-5f、3p-5s跃迁子阵形成的。在自旋轨道劈裂阵模型下, 对平均波长在该范围内的各子阵的主要特征参数如平均波长、半高宽和总跃迁强度进行详细计算,得到与实验测量基本一致的结果,可用于等离子体的精确诊断。
验证了用Level程序计算爱因斯坦自发辐射系数的可信性,选用精确的RKR势函数和最新的电偶极矩函数,计算得到了振动态量子数小于6的氯化氢激光基频振转跃迁的爱因斯坦自发辐射系数,更新了文献中的数据。结果表明Level是非常适合量子电子学同行使用的一个工具。

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