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脉冲电压幅值对等离子体化学气相沉积TiN薄膜膜基结合行为的影响
PCVD 膜基结合力 压入法 氮化钛
2008/11/11
用工业型脉冲等离子体化学（ＰＣＶＤ）设备. 在高速钢（Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ）和钴基硬质合金ＳＣ３０基材表面沉积了ＴｉＮ薄膜, 用扫描电镜（ＳＥＭ）和连续加载压入仪研究了脉冲电压幅值对膜基结合行为的影响, 结果表明：随脉冲电压在５５０－７５０Ｖ之间逐渐增大, ＴｉＮ晶粒增大, 膜层脆性增加, 沉积速率提高. 但膜层结合力下降：在６５０Ｖ以下膜基界面有一伪扩散层出现, 通过６５０Ｖ后伪散层消失, 这是改善膜...