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ULSI多层铜布线CMP纳米材料抛光剂及抛光技术的研究
CMP抛光剂 化学抛光机械 抛光研磨膏
2008/11/19
该抛光剂针对1990年以来国际上ULSI制备中对铜布线化学机械全局平面化（CMP）急待解决的问题，能有效控制铜离子沾污，具有高速率、低损伤、高选择性，高清洁等优点，在理论与工程技术上取得了创造性突破，获得具有工业规模应用前景的CMP抛光剂，其创新点如下：（1）首次提出用大分子具有环烷羟胺分子强络合加螯合且易溶解的CMP动力学过程和机理模型。（2）选用无污染粒径约20nm，浓度在40％wt以上水溶胶...
微晶、石英、光学、电子玻璃纳米磨料CMP技术的研究
CMP 纳米磨料
2008/11/13
成功实现了分散度小的粒径可控生长，有效控制了金属杂质含量；解决了纯度及稳定性问题，提高了适用性。制得可用于不同材质抛光的不同粒径范围，具有较小分散度的硅溶胶，为CMP工艺提供了合格的精抛磨料。此成果完成后，用于微电子用抛光液并可实现大规模生产，使科技成果得以转化，推向国际市场，年效益达到近千万元。