搜索结果: 1-11 共查到“工学 CMP”相关记录11条 . 查询时间(0.062 秒)
中国科学院微电子研究所专利：一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法
中国科学院微电子研究所专利：提取芯片版图的版图图形特征的方法及CMP仿真方法
基于CMP的高密度计算机多目标设计方法
多目标 权衡 协同设计 片上多核
2013/5/23
面向高端应用的高效能计算机一般具有高性能、高集成度、高热密度、高复杂性的特点，其研制是一项复杂的系统工程。每一环节，存在功能、性能、可靠性等相互制约但需同时兼顾的多个目标。在实践中这些方面的权衡设计如何以有序的方式展开，是一个亟待解决的关键问题。提出了可靠性与功能、性能权衡的设计方法，并应用到一款基于国产多核处理器的16路高密度计算机的自主研制中，软件仿真分析和系统实测验证了该权衡设计方法的有效性...
面向高端应用的高效能计算机一般具有高性能、高集成度、高热密度、高复杂性的特点，其研制是一项复杂的系统工程。每一环节，存在功能、性能、可靠性等相互制约但需同时兼顾的多个目标。在实践中这些方面的权衡设计如何以有序的方式展开，是一个亟待解决的关键问题。提出了可靠性与功能、性能权衡的设计方法，并应用到一款基于国产多核处理器的16路高密度计算机的自主研制中，软件仿真分析和系统实测验证了该权衡设计方法的有效性...
推导了具有对流效应的化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CMP)润滑模型,研究各参数对压力场分布的影响. 在此模型基础上，研究了磁流体抛光液在外界磁场作用下的润滑模型, 以及外磁场对抛光过程中压力场分布的影响. 数值结果表明, 具有对流效应的润滑模型的压力分布与已有经验结果更一致，能更为有效地解释CMP过程中 的负压现象; 进一步通过外界磁场的作用, 可以有...
近日，中科院微电子研究所电子设计平台与共性技术研究室（七室）经过近3年的努力，在DFM研究中取得显著进展。由室主任陈岚研究员带领的DFM研究小组目前已完成了65纳米电镀铜生长（ECP）和化学机械研磨（CMP）工艺模型建模的工作，ECP/CMP工艺模型得到中芯国际DFM部门认可并推广到中芯国际Design Service部门运行。
冰洲石晶体化学机械抛光（CMP）工艺参数研究
冰洲石晶体 CMP 工艺参数
2009/2/11
在冰洲石晶体的化学机械抛光过程中，影响CMP的工艺参数有许多，本文分析了这些工艺参数以及如何利用这些工艺参数来改变或影响CMP。
研究了以HDEHP为萃取剂、DTPA为络合剂,在0.2—0.5mol/l HNO_3酸度下实现An~?(Ⅲ)、Ln~(2?)(Ⅲ)分离的工艺条件。结果表明,Am(Ⅲ)、Gd(Ⅲ)和 En(Ⅲ)的分配比和HDEHP浓度的平方成正比,和酸度的3次方成反比。随温度的升高和料液中金属离子起始浓度的增大而降低。Am(Ⅲ)、Gd(Ⅲ)和En(Ⅲ)的萃取反应热依次为-7.1×10~3J·mol~(-1),-9...
ULSI多层铜布线CMP纳米材料抛光剂及抛光技术的研究
CMP抛光剂 化学抛光机械 抛光研磨膏
2008/11/19
该抛光剂针对1990年以来国际上ULSI制备中对铜布线化学机械全局平面化（CMP）急待解决的问题，能有效控制铜离子沾污，具有高速率、低损伤、高选择性，高清洁等优点，在理论与工程技术上取得了创造性突破，获得具有工业规模应用前景的CMP抛光剂，其创新点如下：（1）首次提出用大分子具有环烷羟胺分子强络合加螯合且易溶解的CMP动力学过程和机理模型。（2）选用无污染粒径约20nm，浓度在40％wt以上水溶胶...
微晶、石英、光学、电子玻璃纳米磨料CMP技术的研究
CMP 纳米磨料
2008/11/13
成功实现了分散度小的粒径可控生长，有效控制了金属杂质含量；解决了纯度及稳定性问题，提高了适用性。制得可用于不同材质抛光的不同粒径范围，具有较小分散度的硅溶胶，为CMP工艺提供了合格的精抛磨料。此成果完成后，用于微电子用抛光液并可实现大规模生产，使科技成果得以转化，推向国际市场，年效益达到近千万元。
超大规模集成电路（ULSI）SiO_2介质CMP机理研究
CMP 集成电路 氧化硅介质
2008/10/30
该项目针对1990年以来国际上ULSI制备中多层布线介质化学机械全局平面化（CMP）急待解决的机理问题，提出了新的动力学过程，在（CMP）过程中形成大分子产物加速产物脱离反映表面，提高抛光速度的新机理模型；对抛光后解决表面吸附粒子及金属杂质和有机物难题提出了有限吸附数学模型，在此模型指导下进行了活性剂的选择研究，有效控制避免杂质在表面形成难清洗的化学吸附，实现表面长期处于易清洗的物理吸附。达到国...