搜索结果: 1-2 共查到“SOI”相关记录2条 . 查询时间(0.046 秒)
采用SentaurusProcess工艺仿真工具，验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOIMOSFET，用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法，为器件建立二维阈值电压解析模型。通过与SentaurusDevice器件仿真结果对比分析，发现：阈值电压模型能准确预测器件在不同掺杂、器件厚度和偏置电压下的阈...
我国第一片8英寸键合SOI晶片研制成功
8英寸 SOI晶片
2008/12/2
记者从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，近日，该所研究员王曦领导的SOI研究小组，在上海新傲科技有限公司研发平台上，通过技术创新，制备出我国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。