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Ag/TCNQ薄膜中的传质行为研究
Ag/TCNQ薄膜 激活能 传质系数
2009/12/14
采用真空蒸发的方法在玻璃基板上交替蒸发Ag和TCNQ(四氰基对醌二甲烷), 形成不同厚度的双层膜, 经Ag的固体化学扩散与TCNQ反应, 形成金属有机络合物. 利用透射光谱作为表征, 研究了Ag的传质规律, 给出了60~110 ℃温度下的恒温传质系数k和对应的激活能, 并对传质机制进行了探讨.
DEA(TCNQ)2与TEA(TCNQ)2单晶上的STM热化学烧孔性能比较
STM 信息存储 热化学烧孔 存储材料
2009/11/26
利用STM隧道电流焦耳热诱导分解气化的热化学烧孔方法，对两种存储材料DEA(TCNQ)2和TEA(TCNQ)2的存储性能作了比较,DEA(TCNQ)2可以得到更高的存储密度、更大的信息孔深/孔径比,有更大的写入阈值电压.由此说明通过对存储材料的设计可以对存储系统的性能进行优化.
研究发现当电极电位处于双层区时, 三种分子在Au(111)电极表面均可形成高度有序的吸附结构. TTF与TCNQ分子有序吸附层的单胞结构分别为(6 ´ 3) 和 (4 ´ 7), 如图1中的模型所示, 分子均是以平躺的方式吸附在Au(111)电极表面. 而当电极电位向负方向移至0.08 V(RHE)时, TCNQ分子的吸附结构发生了相转变, 形成了一种单胞为(3√3&acu...
合成了电荷转移复合物HEK-TCNQ和HEK-DDQ(HEK=9-hydroxyethylcarbazole)。拉曼光谱和吸收光谱测定表明: 光电导为10^-^1^1s.cm^-^1的HEK-TCNQ在514.5nm激光照射下可发生电荷转移, 生成HEK^+TCNQ^-, 其光电导显著增大。X射线结构分析和红外光谱表明: HEK与DDQ之间基态电荷转移量为0.1~0.2。
MTDTPY.TCNQ及MTDTPY.CHL电荷转移复合物晶体的电子能带结构 及其与导电性能 关系的研究
导电性能 电子能带结构 晶体 电荷转移复合物 EHMO方法 紧束缚近似 电荷转移 载流子 电导率 迁移机理
2007/12/13
用紧束缚近似的EHMO方法对αMTDTPY.TCNQ(1)、β-MTDTPY.TCNQ(2)及MTDTPY.CHL(3)三种电荷转移复合物晶体的电子能带进行了计算。在1中,电子施体(D)分子MTDTPY及受体(A)分子TCNQ形成交替重叠的一维分子柱(M),柱间无净电荷转移。能隙E~G=0.15eV,载流子的产生主要来自热激发。在2及3中,电子施体(D)MTDTPY及受体(A)TCNQ及CHL分子...
DPA(TCNQ)2的烧孔阈值电压对脉宽的依赖关系
DPA(TCNQ)2(dipropylamine tetracyanoquinodimethane） 高分辨STM图像 场致蒸发 热化学烧孔机理
2010/1/12
合成了一种新的二元电荷转移复合物DPA(TCNQ)2（二丙胺-7,7,8,8-四氰基对亚甲基苯醌)，并得到了其单晶ab面的STM高分辨图像，表面晶格常数与体相晶格常数的XRD数据完全一致.用STM成功地写入了5×5的信息点阵，并在5.1 μm×5.1 μm的面积上写入更大规模的信息点阵，写入的可靠性和稳定性都很高.实验发现，烧孔阈值电压强烈依赖于脉宽,这一现象不支持场致蒸发的机理.理论分析表明，它...
聚苯胺-TCNQ复合薄膜的微观结构与电学特性。
本文利用直接法和应用分子力学与图形技术结合的尝试法, 测定了取向无序的三聚噻吩TCNQ复合物的晶体结构, 采用0PEC程序对复合物晶体进行堆积分析和堆积能的计算。
本文采用以EHMO为基础的紧束缚近似方法计算了同分异构复合物1-N-Mci TCNQ_2和2-N-Mci TCNQ_2的能带结构。通过计算谐振稳定能估算复合物中TCNQ的电荷。计算结果表明, 复合物晶体中的给体N-Mci对一维能带的前沿轨道无影响。1-N-Mci和2-N-Mci的几何形状不同, 在晶体堆积能量上影响TCNQ的排列, 使两个复合物的TCNQ堆积方式不同, 能带结构也就不一样了。1-N...
本文对电荷转移复合分子晶体TMPD·(TCNQ)_2的电子能带进行了计算。在计算中将TMPD及TCNQ分别作为准一维分子柱来处理。所用计算方法为EHMO/LCAO-MO-CO方法。计算结果再次证实我们在前文给出的规律, 即分子晶体能带的位置由其孤立分子相应分子轨道能级的位置决定, 而能带宽度由相邻分子的相应分子轨道间的相互作用决定。本文还对该晶体的能带结构及其与室温电导率的关系进行了讨论, 并与N...